1  前言 IGBT（insulated grid bipolar transistor），绝缘栅双极型晶体管，具有驱动功率小而饱和压降低等优点，是能源转换与传输的核心器件，是变频器中的关键零件之一。IGBT模块的寿命及稳定性直接影响变频器的性能。而IGBT模块本身工作需要承受较大的电流，每秒开关达上千次，会伴随着开关损耗和通流损耗的产生，如果对IGBT模块无有效的散热措施，使其温度超过设计结温（一般为120~150℃之间），会导致IGBT模块烧毁，影响整个变频器系统的运行。随着变频器单机功率的不断增大以及电子集成技术的进度，IGBT模块不断向高压、大容量[登陆后可查看全文]