日本住友化学工业株式会社开发了一种孔隙辅助分离（PAS）法，用于制造自支撑氮化镓（GaN）衬底[Masafumi Yokoyama et al Appl. Phys. Express, v17, p055502, 2024]。   研究人员评论道：“我们预计，所提出的方法将为实现具有良好生产率的更大尺寸自支撑GaN衬底开辟一条道路。”   住友认为，要想应对人类活动对全球气候的不良影响，提高电气系统的功率转换效率是其中一个关键因素。基于GaN的器件正是为此目的而开发，因为与硅等传统电子材料相比，这种宽禁带材料能够承受更大的电压和功率密度。   研究[登陆后可查看全文]