6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。 同时，硅（Si）二极管和晶体管的晶圆厂产能也将增加。这些投资是与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士在生产基地成立100周年之际共同宣布的。   为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，从2024年6月开始，安世半导体三种工艺（SiC、GaN和Si）器件都将在德国开发和生产。   同月，安世半导体首批高压GaN d-mode晶[登陆后可查看全文]