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韩国电子通信研究院开发出3kV级氧化镓外延层和器件技术

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  在韩国文化体育观光部的支持下,韩国政府资助的非营利性电子通信研究院(ETRI)与韩国陶瓷工程技术研究所(KICET)合作,开发出了氧化镓(Ga2O3)功率半导体的核心材料和器件工艺技术,即韩国开发的首款3kV级氧化镓功率半导体金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件。   氧化镓作为下一代功率半导体的关键材料,一直受到世界各国的积极研究。日本和美国在这一领域一直占据技术优势,但韩国电子通信研究院认为其发展已将差距缩小。 图片:Mun Jae-kyoung博士的研究团队   3kV级适用于城市轨道、地铁和超高速[登陆后可查看全文]
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