10月14日,巴斯夫特性材料官微宣布,针对新一代的电力电子设备,巴斯夫开发出了一种聚邻苯二甲酰胺(PPA),这种材料尤其适合制造IGBT的半导体外壳。
据悉,Ultramid® Advanced N3U41 G6能够满足电动汽车、高速列车、智能制造和可再生能源发电等领域对于高性能、可靠电子元件日益增长的需求。作为电力电子设备领域的全球技术领导者,Semikron Danfoss目前采用巴斯夫PPA作为其光伏和风能系统逆变器中的Semitrans 10 IGBT 外壳材料。Ultramid® Advanced N系列具备出色的耐化学性和尺寸稳定性,可以提高IGBT的坚固性、长
[登陆后可查看全文]