东北大学于2024年10月17日宣布,成立了一家名为FOX的初创公司,旨在以低成本大规模生产β型氧化镓(β-Ga2O3)晶圆。采用该校与该校初创公司C&A联合开发的无贵金属单晶生长技术,可以以比SiC(硅)更低的成本生产出与硅相当的低缺陷β-Ga2O3/衬底。我们的目标是将该技术投入实际应用。
β-Ga2O3具有比SiC和GaN(氮化镓)更宽的带隙,并且由于其高性能和低能量损耗而有望用作下一代功率半导体。此外,与硅一样,β-Ga2O3可以通过熔融生长从原料熔体中生长,从而可以一次生产大量高质量的单晶。这一生长速度约
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