11月8日,国星光电宣布,旗下子公司风华芯电于近日成功开发出基于扇出面板级封装的D-mode氮化镓半桥模块。
据了解,该模块在封装形式上取得新突破,采用自主研发的扇出面板级封装形式,其通过铜球键合工艺实现氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)和硅(Si MOS)芯片的凸点结构,借助再布线层(RDL)的镀铜工艺实现互连,达到4个功率管有效互连效果,并形成半桥拓扑结构,实现模块内部结构的高密度集成,减少产品体积,提升性能优势。
与传统键合线框架封装相比,D-mode氮化镓半桥模块体积减少超67%,电路板
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