（左图）用于xEV的SiC-MOSFET晶圆（示意图） （右图）用于xEV的SiC-MOSFET裸片布局（出货样品示意图）   2024年11月12日三菱电机集团宣布，将于11月14日开始提供用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）和其他电动汽车（xEV）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品。这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片，将助力公司应对xEV逆变器的多样化需求，并推动xEV的日益普及。这款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片结合了特有的芯片结构和制造技术，有助于提升逆变器性[登陆后可查看全文]