硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车（EV）等。然而，市场对更小型化产品的需求，以及设计人员面临的提高电源能效的压力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成为这些应用中受欢迎的替代品。   与硅基MOSFET一样，SiC MOSFET的工作特性和性能也依赖于栅极驱动电路的设计，该电路负责开启和关闭器件。然而，SiC的特定特性要求对MOSFET器件和栅极驱动电路进行仔细选择，以确保安全地满足应用需求，并尽可能提高效率。在本文中，我们将讨论为[登陆后可查看全文]