近日，北京大学物理学院杨学林、沈波团队，联合宽禁带半导体研究中心等多个科研机构，在氮化镓外延薄膜中位错的原子级攀移动力学研究上取得重大突破。  据悉，相关成果2025年2月5日以“从原子尺度上理解氮化物半导体中的位错攀移：不对称割阶的影响”（Atomistic Understanding of Dislocation Climb in Nitride Semiconductors: Role of Asymmetric Jogs）为题在线发表于《物理评论快报》（Physical Review Letters）上。  氮化镓作为宽禁带半导体的代表，在光电子、射频电子和功率电子领域有着巨大的应用潜力，是[登陆后可查看全文]