氮化镓（GaN）技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止，GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异，产品十分零散，客户缺乏兼容多种封装的货源。 为了解决这个问题，英飞凌推出采用RQFN 5x6封装的 CoolGaN™ G3 100V (IGD015S10S1) 和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN™ G3 80V (IGE033S08S1) 高性能GaN晶体管。   CoolGaN™ G3 100V晶体管与WRTFN-9-2组合   英飞凌科技中压氮化镓产品线负责人Antoine Jalabert博士表示，这两款新器件兼容行业标准硅MOSFET封装，满足客户对标准化封装[登陆后可查看全文]