3月22日，九峰山实验室首次公布了GaN相关的研究成果，包括国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底（N-polar GaNOI）；全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台；动态远距离无人终端无线能量传输完成示范验证。成果覆盖了GaN产业链的上下游，包括材料、器件设计、应用。 九峰山实验室8英寸硅基氮极性氮化镓衬底   九峰山实验室成立于2021年，是湖北省级实验室，聚焦化合物半导体的研发与创新，目标是打造全球化合物半导体的平台、技术和产业的“灯塔”。实验室总投资82亿元，建有国内领先、全球一流的量产级研发平台，并在中[登陆后可查看全文]