近日，士兰微电子旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目，经过8个月紧张有序地建设后，正式举行全面封顶。 士兰集宏项目总投资120亿元，分两期建设，总建筑面积达23.45万㎡，一期投资70亿元，预计2025年四季度初步通线、2026年一季度试生产，达产后年产能42万片8英寸SiC芯片；二期投产后总产能将提升至72万片/年，成为全球规模领先的8英寸SiC功率器件产线。该项目以SiC MOSFET为核心产品，主要服务于新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、智能电网等高需求领域。 据悉，士兰集宏项目达[登陆后可查看全文]