近日，清纯半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ。该平台通过专利技术和工艺完善，实现了领先国际同类产品的比导通电阻系数Rsp=2.1 mΩ.cm²，如图1所示，进一步实现高电流处理能力和更小损耗，帮助新能源汽车电机驱动器进一步释放SiC高功率密度及高能量转化效率潜力，提高续航里程。 图1 清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化 该产品额定电压为1.2kV，额定电流超过220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。图2分别给出了该芯片在常温及高温的输[登陆后可查看全文]