众所周知，新能源汽车主驱逆变器对碳化硅芯片的可靠性要求非常高，为确保逆变器在整个使用寿命期间功能正常，通常碳化硅芯片产品在出厂前均需进行老化测试，以筛选掉可靠性异常的SiC MOSFET芯片。 但是如何高效、低成本而准备地筛选异常SiC芯片一直是产业界的难题。 近日，理想汽车在第37届ISPSD会议上发表了题为《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screening Technology for 1.2 kV Automotive SiC MOSFETs》（1200V汽车级碳化硅MOSFET芯片击穿电压异常芯片的分析与筛选技术研究）的论文。 该论文表示，SiC外延层中的非致命缺陷会[登陆后可查看全文]