当新能源汽车的续航里程突破1000公里，当800V高压平台成为高端车型标配，当智能驾驶系统需要每秒处理数万亿次计算——这些曾经仅存于科幻电影中的场景，正在2025年的中国汽车产业中成为现实。而支撑这场变革的核心力量，正是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料。它们如同新能源汽车的“电力引擎”，以革命性的性能突破，重新定义了能源转换的效率边界。 宽禁带半导体的崛起并非偶然。传统硅基材料在400V电压平台下已接近物理极限，而SiC和GaN凭借高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等特性，在[登陆后可查看全文]