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CoolSiC™ 2000V SiC 沟槽栅MOSFET定义新能源应用中功率密度增强的新基准

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·英飞凌工业半导体 周明 本文介绍了新的CooSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装,具有加大的爬电距离和电气间隙,使用.XT焊接芯片技术。芯片同时用于62mm封装的半桥模块和EasyPACK™ 3B封装的升压模块。这些产品的性能提高了系统功率密度,可靠性和效率,并简化了设计。   1、介绍   最新的光伏太阳能、储能和高功率充电器(1500 VDC)应用要求更高的电压裕量,以确保系统安全运行。CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET被设计为在高电压和高开关频率下提供更高的[登陆后可查看全文]
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