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英飞凌功率模块助力金风科技构网型风机能效

【2025年9月18日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN>>查看全文

中联重科发布具身智能大模型人形机器人产

9月14日至16日，以AI领航畅想湘江为主题的2025互联网岳麓大会在湖南长沙举行。在大会现场，中联重科发布了自主研发的云谷具身智>>查看全文

中控技术新能源领域再呈佳绩，助力全球首个

近日，全球首个超稠油开采塔式光热替代示范工程项目风城油田重37井区的高温光热利用先导试验工程在新疆油田风城油田作业区正式投>>查看全文

全球引领！卡奥斯已赋能打造16座灯塔工厂

9月16日，世界经济论坛（WEF）公布新一批灯塔工厂入选名单，12个新站点加入全球灯塔网络，有6家位于中国。其中，卡奥斯COSMOPla>>查看全文

国产首个！珞石机器人进驻小米YU7汽车焊装

小蛮腰、长胳膊，酷炫的眼睛、灵活的双手9月10日，珞石（山东）机器人集团股份有限公司（以下简称珞石机器人），一个新面孔出现>>查看全文

人形机器人公司Figure新融资超10亿美元，英

9月16日，美国人形机器人新锐企业Figure宣布完成超10亿美元的C轮融资，投后估值达到390亿美元，比B轮融资后的26亿美元估值大幅攀>>查看全文

第20讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（2）

栅极正向电压增大，对应的漏源极通态压降变小。反之，如果栅极正向电压低于推荐值，通态压降会增加，通态损耗就会增大>>查看全文

第18讲：SiC MOSFET的动态特性

SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加>>查看全文

第17讲：SiC MOSFET的静态特性

图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低>>查看全文

第16讲：SiC SBD的特性

SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而>>查看全文

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2010年，中国移动互联网用户规模达到3.03亿人2011年，中国移动互联网行业进入了更加快速发展的一年，无论是用户规模还是手机应用下载次数都有了快速的增长。在移动互联网发展的大的趋势下，中自传媒已经开始进行区别于传统互联网的运营模式探索，伴随着产业链和产业格局的变化提供创新的服务

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