宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出15款采用eSMP^®系列超薄SMF (DO-219AB)封装新型1 A、2 A和3 A器件，扩充其表面贴装TMBS^® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封装整流器节省空间，反向电压从45 V到150 V，3 A电流等级达到业内SMF封装器件最高水平。

目前，3 A电流等级肖特基整流器一般采用SMA封装。日前发布的器件采用更薄的SMF 封装，具有高正向电流的同时增加功率密度。器件封装尺寸 3.7 mm x 1.8 mm，高度降低至0.98 mm, 比SMA封装薄46%，电路板占位空间减少49%。 

1 A、2 A和3 A器件正向压降分别为0.36 V、0.40 V和0.43 V，可降低续流二极管和极性保护二极管功耗，提高效率。应用于商业和工业用高频逆变器、DC/DC转换器等，器件还提供AEC-Q101认证版本，可用于汽车应用。

新整流器最高工作结温达+175 °C，MSL潮湿敏感度等级达到 J-STD-020 的1级，LF最高峰值为+260 °C。器件适用于自动贴片工艺要求，符合RoHS标准，无卤素。

 宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出15款采用eSMP^®系列超薄SMF (DO-219AB)封装新型1 A、2 A和3 A器件，扩充其表面贴装TMBS^® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封装整流器节省空间，反向电压从45 V到150 V，3 A电流等级达到业内SMF封装器件最高水平。

目前，3 A电流等级肖特基整流器一般采用SMA封装。日前发布的器件采用更薄的SMF 封装，具有高正向电流的同时增加功率密度。器件封装尺寸 3.7 mm x 1.8 mm，高度降低至0.98 mm, 比SMA封装薄46%，电路板占位空间减少49%。 

1 A、2 A和3 A器件正向压降分别为0.36 V、0.40 V和0.43 V，可降低续流二极管和极性保护二极管功耗，提高效率。应用于商业和工业用高频逆变器、DC/DC转换器等，器件还提供AEC-Q101认证版本，可用于汽车应用。

新整流器最高工作结温达+175 °C，MSL潮湿敏感度等级达到 J-STD-020 的1级，LF最高峰值为+260 °C。器件适用于自动贴片工艺要求，符合RoHS标准，无卤素。

 宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出15款采用eSMP^®系列超薄SMF (DO-219AB)封装新型1 A、2 A和3 A器件，扩充其表面贴装TMBS^® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封装整流器节省空间，反向电压从45 V到150 V，3 A电流等级达到业内SMF封装器件最高水平。

目前，3 A电流等级肖特基整流器一般采用SMA封装。日前发布的器件采用更薄的SMF 封装，具有高正向电流的同时增加功率密度。器件封装尺寸 3.7 mm x 1.8 mm，高度降低至0.98 mm, 比SMA封装薄46%，电路板占位空间减少49%。 

1 A、2 A和3 A器件正向压降分别为0.36 V、0.40 V和0.43 V，可降低续流二极管和极性保护二极管功耗，提高效率。应用于商业和工业用高频逆变器、DC/DC转换器等，器件还提供AEC-Q101认证版本，可用于汽车应用。

新整流器最高工作结温达+175 °C，MSL潮湿敏感度等级达到 J-STD-020 的1级，LF最高峰值为+260 °C。器件适用于自动贴片工艺要求，符合RoHS标准，无卤素。