开始发售功率半导体「1200V SiC-SBD」-产品新闻-新闻-中自数字移动传媒

三菱电机株式会社作为为降低太阳能发电和EV用充电器等电源系统的耗电量、缩小其体积做出贡献的功率半导体新产品，对于采用了SiC※1耐压1200V的「1200V SiC-SBD※2」5型将于2019年6月开始提供样本，从2020年1月起依次发售。本产品将在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日～19日于日本幕张举行), “PCIM Europe2019展”（5月7～9日于德国纽伦堡举行）, “PCIM※1 Asia2019展”（6月26～28日于中华人民共和国上海举行）上展出。

※1　Silicon Carbide：碳化硅

※2　Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管

新产品特点

1、通过采用碳化硅，有利于降低系统损耗和体积

通过使用碳化硅大幅降低开关损耗，降低约21％的电力损耗^※3
实现高速开关，有利于缩小电抗器等配套零部件的体积

※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFC^TM”上搭载的Si（硅）二极管相比

2、通过采用JBS结构，提高可靠性

采用pn结与肖特基结相结合的JBS^※4结构
通过JBS结构提高浪涌电流耐量，从而提高可靠性

※4 Junction Barrier Schottky

3、由5个产品构成的产品阵容可对应各种各样的用途

除了通常的TO-247封装外，还采用了扩大绝缘距离的TO-247-2封装
除民用品外还可对应工业等各种各样的用途
产品阵容中还包括符合AEC-Q101^※⁵的产品（BD20120SJ），也可对应车载用途

※5 Automotive Electronics Council：车载电子零部件质量规格

新产品发售概要

销售目标

近年来，出于节能环保的考虑，人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半导体模块，广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等，为降低家电及工业机械的耗电量，缩小其体积和重量做出了贡献。

在这一背景下，此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。在电源系统中应用“SiC-SBD”，将为降低客户的系统耗电量，缩小体积做出贡献。