英飞凌科技股份有限公司扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级，继今年稍早推出的650V产品后，现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。
新款1700V表面黏着装置（SMD）产品充分发挥了碳化硅（SiC）强大的物理特性，提供优异的可靠性和低切换及导通损耗。1700V CoolSiC MOSFET适用于三相转换系统的辅助电源供应器，例如：马达、再生能源、充电基础设施及HVDC系统等。
全新1700V CoolSiC沟槽式MOSFET适用于+12 V/0 V闸极源极电压与一般PWM控制器兼容的返驰式拓扑，因此，无需闸极驱动IC，就能直接以返驰式控制器来运作。
这类低功率应用通常在100W以下运作。在这些情况下，设计人员通常偏好采用单端返驰式拓扑。有了SMD封装的1700V CoolSiC MOSFET后，甚至能在输入电压高达1000 VDC的直流连结连接辅助电路启用这种拓扑技术。使用单端返驰式转换器的辅助转换器具高效率和高可靠性，可建置于三相电源转换系统中，进而将尺寸缩到最小并减少物料清单。
英飞凌工业电源控制部门SiC资深协理Peter Friedrichs博士表示：「1700V CoolSiC MOSFET采用沟槽式技术，可完美平衡效能及可靠性。它结合SiC的出色特性：在高压SMD封装中提供精巧尺寸及低损耗，有助于让我们的客户大幅降低其辅助电源供应器的复杂性。」
1700V阻断电压消除了设计上针对过电压余度及电源供应器可靠度的疑虑。CoolSiC沟槽式技术具备此电压等级晶体管的最低装置电容和闸极电荷。
因此，与先进的1500V硅MOSFET相比，其功率耗损减少了50％以上，效率也提升了2.5％。与其他1700V SiC MOSFET相比，其效率提升0.6％。低损耗有助于打造尺寸精巧的SMD封装，以自然对流冷却的方式进行组装，不再需要散热器。
共0条 [查看全部] 网友评论