该项目建成后将成为全球最大的集研发、设计、外延生产、芯片制造、测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片，产品将为5G移动通信、数据中心、新能源汽车、无人驾驶、手机快充等战略新兴产业的自主创新发展提供核心电子元器件。
英诺赛科苏州第三代半导体基地位于江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，总占地24.5万平方米，属于江苏省重点项目，一期投资总额超60亿元人民币。项目预计今年年底进入试生产阶段。英诺赛科相关负责人表示，氮化镓功率芯片量产线的通线投产，填补了我国高端半导体器件的产业空白，同时也意味着制约我国第三代半导体产业的技术瓶颈得到突破。
英诺赛科于2015年底成立，是一家专业从事第三代半导体硅基氮化镓芯片开发与制造的企业，成立至今先后引进了近百名国际一流知名半导体企业的顶尖人才，组建国际一流半导体研发团队，开展自主研发工作，形成了自主可控核心技术，并已申请290余项国内外核心专利。
作为全球领先的硅基氮化镓功率器件制造商，英诺赛科采用集研发、设计、生产、制造和测试为一体的IDM模式，全产业链技术自主可控。商业模式具有明显高效低成本优势，优于国际友商，同时实现全产业链核心技术自主可控，为公司产品的快速迭代创新提供了一个最好的平台。
英诺赛科主要产品为30V-650V氮化镓功率器件、功率模块和射频器件等，产品覆盖面为全球氮化镓企业之首。公司的IDM产业化模式及其首创的8英寸硅基氮化镓功率与射频器件量产线，使公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。
英诺赛科积极建立完善基于硅基氮化镓的第三代半导体的生态体系，与众多国际、国内IC设计公司、磁材料公司、先进封装厂等厂商深度合作，开发针对硅基氮化镓的配套系统，建立自主可控的生态系统。尤其在快充领域，英诺赛科“InnoGaN”氮化镓功率器件已被魅族、努比亚、ROCK、飞频、Lapo等多个品牌的采用，并实现了大规模量产，产品性能获得市场一致认可。
接下来，英诺赛科将借助长三角的半导体产业基础，与区域内更多企业开展合作，以进一步形成产业链集群，助力国产半导体实现“芯”突破。
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