在国家急需光刻机之际，哈工大的DPP-EUV光源出来了——这是哈工大在超精密加工，超精密测量领域几十年积累的结果！

中科院长春光机所在光刻机所需的透镜及曝光系统上早已有突破，而长春光机所在实验室已经搭建出了一套EUV光源设备。

如今长春光机所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光机，预计两年内可推出。

科普一下，光刻机的两大核心部件为双工件台和曝光系统。EUV光刻的全称为极紫外光刻（Extreme Ultra-violet），其光源主要有2种：

1、一种是DPP-EUV极紫外光源。放电激发等离子体EUV极紫外光源

荷兰ASML光刻机公司，哈工大研究的都是这一种。

DPP EUV光源利用放电使负载（Xe或Sn）形成等离子体，辐射出紫外线，利用多层膜反射镜多次反射净化能谱，获得1EUV光。

DPP EUV光源的优点是产生EUV的能量转换效率高，造价低；缺点是电极热负载高，产生碎片多，机制复杂，光学器件易于受损，光收集角小。

2、激光等离子体光源(LPP)

LPP EUV系统主要包括激光器、汇聚透镜、负载、光收集器、掩膜、投影光学系统和芯片。

其原理是利用高功率激光加热负载(Xe或Sn)形成等离子体，等离子体辐射出紫外线，利用多层膜反射镜多次反射净化能谱，获得1EUV光。

LPP EUV光源的优点是光源尺寸小，产生碎片或粒子的种类少，光收集效率高以及较容易放大EUV输出功率。当然它也有缺点，主要是系统设计复杂，价格昂贵。

这2种光源。哈工大都在15年前就研究了！

中国研究EUV极紫外光源的2个主要单位是：

1、哈工大气体可调谐激光技术国家级重点实验室 。

2、中国科学院上海光机所（哈工大毕业的研究员负责的项目、副所长。神光2的负责人之一）。

而哈工大取的重大突破的是：

放电激发等离子体EUV极紫外光源。与荷兰ASML光刻机公司的是同一种EUV极紫外光源。

但是要把它做成为光刻机，还需要2年时间！

其实中国在1977年就成功研究了光刻机。那个时候，还没有荷兰ASML光刻机公司这个公司。

可惜在中国80年代，都是造不如买去了。

以前日本人走的是激光等离子体光源。荷兰ASML光刻机公司走的是气体放电激发等离子体EUV极紫外光源，哈工大气体可调谐激光技术国家级重点实验室研究的东西与ASML光刻机公司研究的一样。

目前荷兰光刻机的极紫外光源是美国产，还有一些主要部件是德国等国生产，清洗部件是蓝英装备生产。

如果3-5纳米光刻机两年内国产，则华为有救！哈工大功劳显著！