功率半导体：日本的一张王牌

在功率元件方面占据优势的日本半导体企业有：三菱电机、富士电机、日立功率元件、东芝电子元件与存储器件等。中坚企业有罗姆、产研电气、新电元工业等等。

而在氧化镓方面，日本在元件、基板等方面的研发全球领先。但据了解，研究氧化镓功率元件、并进行开发的并不是现在的大型、中型功率半导体企业！也就是说并不是我们所熟悉的三菱电机、富士电机、日立Power Device、东Device&Storage、罗姆、三星电子、新电元工业等企业。而是一些小企业。

自2012年以后，业界不断公布关于氧化稼功率元件的研发、试做成果。迄今为止，已经试做了横型MES FET、横型MOS FET、Normally Off的纵型MIS FET。在SBD的试做中，已经证明了ON电阻比碳化硅的SBD低得多！在初级试验阶段就可以证明其性能超过碳化硅功率元件，这真是了不起！而现在参加研发的日本企业持续增加，且正在呈现出“All Japan”的景象。

随着电动车和各种绿化智能的需求成为主流，功率器件的重要程度日益提高，但这能否成为日本半导体卷土重来的底气，那就有待后续观察了。但从现在看来，中国大陆、美国、欧洲和大陆的功率器件竞赛已然拉开帷幕。

技术进步产能扩张，国产替代未来可期

国内功率半导体厂商研发支出/ 人员不断扩大。近年来国内厂商加大研发投入，研发支出快速增长，多家厂商 2020 年度前三季度的研发支出已接近 2019 年全年水平，研发人员数量也呈快速增加趋势。

部分产品技术水平已达到国外主流水准。持续的研发投入带来了国内功率半导体厂商的技术进步。部分功率半导体产品已达到与国外主流竞品的同等技术水平。比如，华润微已建立国内领先的 Trench-FS 工艺平台。斯达半导体拥有基于第六代 Trench Field Stop 技术的 1700V IGBT 芯片及配套的快恢复二极管芯片技术。新洁能 MOSFET 国内领先，可提供 12-250V 沟槽型/500-900V 结/30-300V 屏蔽栅 MOSFET 产品，性能接近英飞凌主流产品。

国内厂商产能扩张助力份额提升。在技术进步的同时，国内功率半导体厂商也不断加大投资建厂步伐，扩大产能以提升市场份额。

通过以上分析，国内厂商有望凭借技术进步、成本优势和快速响应能力实现国产替代 、 份额提升 。当前功率半导体国产化率较低主要集中在高端产品领域。但功率半导体行业因为技术迭代较慢、产品生命周期较长、投资强度相对较小的特点，有望成为国替代的最佳赛道。