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12.4亿GaN/GaAs射频芯片项目落地成都!已是本月第四个氮化镓项目

已有23482次阅读2021-09-01标签:
 
随着5G、新能源汽车、能源互联网、轨道交通等下游应用领域快速发展,市场对第三代半导体的投资热情高涨,8月以来,已有4个氮化镓项目落地。

 

 

据消息,8月28日,金牛区2021年现代都市工业及配套设施重点项目集中开工仪式在成都举行,会上9个项目集中开工。

 

其中,北京航天微电芯片孵化产业园项目位于金牛区天回镇街道人工智能产业园,用地面积约77亩。项目总投资约12.4亿元,计划于2023年6月竣工。项目业主为北京航天微电科技有限公司,将建成一条国内领先,开放式的6英寸0.15μm全制程GaN/GaAs射频芯片研制线,打造以微声芯片、氮化镓芯片、SIP模组、毫米波砷化镓芯片等产品为代表的高端芯片产业孵化平台。


其他三个项目分别为,金普新区管委会与深圳正威集团签署总投资达300亿元的战略合作协议。双方将合作建设以氮化镓半导体为核心的第三代半导体产业基地、以金属铜为原料向下游延伸建设5G新材料产业基地,同时搭建金属和新材料等大宗商品交易平台,并将发挥金普新区港口优势的大连自贸片区政策,建设临港产业工贸集聚地。

 

项目达产后,预计年主营收入将达400亿~500亿元。

 

据报道,灿科半导体功率器件项目将增加一条氮化镓共封装器件生产线项目建成量产后,可年产氮化镓共封装器件2亿颗、氮化镓晶圆6万片,年产值可达到12亿元。

 

深圳市中科半导体科技有限公司氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料的研发生产项目云签约州经开区总投资2亿元,主要生产2-4寸氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料。项目达产达标后,可实现年营业收入3.6亿元,年纳税4000万元。

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