今天，高意（II-VI）宣布，已成为东莞天域半导体主要战略合作伙伴，为其提供用于电力电子的150毫米碳化硅(SiC)基片。

新企业和宽带电子技术业务部执行副总裁Sohail Khan表示，天域公司将立即受益于高意在美国和中国的150毫米SiC全球产能。

天域公司总经理李希光表示，天域与高意将共同提供高质量和可靠的供应链和未来200毫米的能力，这对支持电动汽车、可再生能源、智能电网、微电网和数据网络电源等巨型市场对SiC电力电子的快速增长需求至关重要。

今年，高意加快了在中国扩产的步伐，以服务于全球最大的电动汽车（EV）和清洁能源应用市场。

4月15日，II-VI福州总部正式建立了用于SiC导电衬底的后段加工线。高意位于福州的新SiC工厂进行的后端SiC晶圆加工包括边缘研磨、化学机械抛光、清洗和检测，所有加工都在100级和1000级洁净室进行。该工厂是高意已经宣布的计划的一部分，该计划将在5年内将其SiC基板的生产能力提高5到10倍，包括直径200毫米的基板。

4月23日，II-VI在上海举行了技术研发中心的落成典礼。该中心是II-VI最大的技术和研发中心，拥有近600名员工。

8月31日，据福州日报报道，福州将推动“II-VI高意碳化硅衬底片”等128个亿元以上重点技改项目启动实施。

目前，高意在中国的福州、广州、上海、深圳、苏州和无锡等城市保持着庞大的制造业务和产品开发。

天域半导体位于中国第三代半导体南方重镇——东莞，今年7月获得了华为哈勃的投资。

天域半导体在我国第三代半导体有着多个“第一”，公司是中国首家专业从事第三代半导体SiC外延晶片研发、生产和销售的国家高新技术企业；是中国首家碳化硅半导体材料供应链的企业获得汽车质量认证(IATF 16949) 。目前，在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD，月产能 5000件。

 2010年，天域半导体与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所。可提供 n-型 和 p-型 掺杂外延材料、制作肖特基二极管、JFETs、BJTs、MOSFETs，GTOs 和 IGBTs等产品。