12月15日，吴越半导体GaN晶体出片仪式在无锡高新区举行。会上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体。
据悉，无锡吴越半导体是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司专注于氮化镓自支撑衬底的开发、生产和销售。
去年2月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目。项目总投资37亿，主要进行2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底及GaN-On-GaN功率芯片、射频芯片的研发和生产。
全部建成投产后，能够打通从材料到芯片到器件的整个产业链，创造年30亿元的销售额。
近来，无锡大力发展第三代半导体产业。
10月7日，无锡高新区（新吴区）举行集成电路产业重大项目集中签约，总投资达303.4亿元的19个集成电路重大项目落地。其中就包含晶湛半导体氮化镓外延材料研发和产业化项目，基本半导体车规级第三代半导体研发制造总部项目
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