据报道，该研究部已将目标定为开发基于碳化硅（SiC）的国内功率半导体生态系统，同时发展与SiC半导体相关的材料、零件和设备公司的企业。

与硅基半导体相比，SiC 半导体具有优越的高压和高温性能。作为用于电气设备、可再生能源和工业用途的半导体器件，它备受关注。开发用于电动汽车电子产品电源管理的半导体器件也很活跃。该市场目前由德国、美国和日本的半导体公司主导。

其中，LX Semicon、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半导体公司将参与材料、零件、设备的功率半导体开发。

LX Semicon将开发SiC半导体，SK siltron将负责SiC衬底。Hana Materials和STI将开发SiC半导体零件和设备技术。光云大学、嘉泉大学和国民大学将支持SiC半导体研发基础设施，国立纳米材料研究所和韩国陶瓷工程技术研究所将提供技术支持。

Source：ETNews

近年来，韩国再第三代半导体领域动作频频。

2000年韩国制订了GaN开发计划，政府在2004~2008年投入4.72亿美元，企业投入7.36亿美元以支持韩国进行光电子产业发展，使韩国成为亚洲最大的光电子器件生产国。

2009年韩国发布《绿色成长国家战略》，全力发展环保节能产业，并致力于使得该产业成为韩国经济增长的主要动力之一。

2010—2012年间投入约4500万美金以推动MOCVD机台实现国产化、引进制程自动化系统并开发高速封装、监测设备。

2016年，韩国围绕Si基GaN和SiC器件启动功率电子国家项目，同时重点围绕高纯SiC粉末制备、高纯SiC多晶陶瓷、高质量SiC单晶生长、高质量SiC外延材料生长4个方向，开展了国家研发项目。

2017年，韩国产业通商资源部（MOTIE）举办研讨会，为了强化系统半导体的竞争力，产、官、学三界联手投资4645亿韩元（4.15亿美元），开发低能源、超轻量和超高速的半导体芯片。

这当中1326亿韩元用于开发先进超轻量传感器、837亿韩元投入低耗能的SiC功率半导体，47亿韩元投资超高速存储器和系统整合设计技术。

2021年，韩国政府对第三代半导体的发展越来越重视。韩国政府发布了一份先进功率半导体研发和产能提升计划，计划到2025年将市场竞争力提升到全球水平，以便到那一年韩国至少有5种先进的功率半导体产品上市。

同时，韩国宣布启动“X-band GaN半导体集成电路”国产化课题。韩国无线通信设备半导体企业RFHIC（艾尔福）被选定为课题牵头企业，SK Siltron将参与SiC基板/GaN树脂的制作，LIG nex1负责系统的验证，韩国电子通信研究院(ETRI)的半导体工厂将被用来进行GaN MMIC的制作。

在全球第三代半导体的争夺战中，韩国正在向欧美日巨头发起冲击。

目前最具发展潜力的材料即为具备高功率及高频率特性的宽禁带（Wide Band Gap；WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），主要应用大宗为电动车、快充市场。

据TrendForce集邦咨询研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。

Source：TrendForce

其中，SiC功率半导体至2025年可达33.9亿美元。GaN功率半导体至2025年可达13.2亿美元。