据悉，SiC高温外延装备申请发明专利共计30余件，其中4件已获得专利授权，装备的主要功能和性能指标已达到设计要求。
SiC外延是SiC器件生产过程中的核心工艺，生产成本占器件生产过程的22%，其生产装备被欧美等发达国家垄断。该装备的成功研制将解决我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备全部依赖进口的“卡脖子”问题。
该设备核心部件全部采用国产，整机国产化率超过85%。设备实现了首次近30小时的稳定运行，本底真空度、漏率、控温精度等相关指标达到国际先进水平，升温速率、最高工艺温度等部分指标领先国际先进水平。
季华实验室（先进制造科学与技术广东省实验室）是广东省委、省政府启动的首批4家广东省实验室之一。先期确定了机械工程、光学工程、材料科学与工程、电子科学与技术、生物医学工程、计算机科学与技术等六个学科方向，部署了半导体技术与装备、机器人及其关键技术、高端装备制造、增材制造、微纳制造、新材料新器件研究等六个研究方向。
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