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尼克森:冲刺第三代半导体

已有16952次阅读2022-05-18标签:
 据台媒报道,MOSFET厂尼克森持续冲刺第三代半导体市场,2022年公司将投入第二代1200V的碳化硅Power MOSFET平台、650V的绝缘栅双极晶体管(IGBT)及氮化镓(GaN)等相关新品,可望持续替未来持续成长的工控、车用电子市场打下技术基础,推动后续业绩维持成长动能。


尼克森近年来开始扩大布局第三代半导体市场,除先前的SiC、IGBT等产品线外,进入2022年后,根据尼克森最新公布的年报中显示,公司已开始着手开发第二代碳化硅1200V的Power MOSEFT、650V的IGBT及氮化镓600V等产品线。


法人指出,目前尼克森在第三代半导体市场虽尚处于少量出货阶段,但随着车用电子及工业用市场都开始大量导入SiC、GaN等产品,后续市场规模将有望逐步延伸到物联网、消费性等市场,尼克森可望透过提前布局的基础,快速切入其中,藉此带动营运稳健向上成长。


尼克森公告4月合并营收达2.54亿新台币、月增1.8%,写下三个月以来高峰,相较2021年同期成长4.3%。累计2022年前四月合并营收为10.22亿新台币、年增3.2%,创11年以来同期新高。


法人指出,虽然2022年的笔电、消费性市场需求逐步放缓,不过目前MOSFET市场需求仍相当热络,加上晶圆代工厂产能依旧维持吃紧状态,且尼克森已经在最新公布的年报当中指出,公司将会扩大工业用电源管理及充电等市场,并持续开发第三代半导体材料技术等相关产品线,因此后续营运仍有望持续向上成长。


尼克森公告第一季财报,单季合并营收为7.67亿新台币、年成长2.8%,毛利率31.2%、年增2.4个百分点,毛利率连续两季站在30%以上的相对高档,归属母公司净利1.52亿新台币,相较2021年同期大幅成长68.3%,写下单季历史新高。

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