随着全球环境不断恶化与化石能源耗尽，世界各国都纷纷找寻适合人类生存发展的新型能源，建设光伏储能项目是当下实行能源转型的重要措施。

第三代半导体具有高频、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等特性，能促进光伏储能逆变器走向高效、高可靠性、低成本化，推动能源绿色低碳发展。

图：2020、2025年第三代半导体在光伏储能市场规模

Source：拓墣产业研究院，2022/05

随着光伏产业迈入「大元件、大逆变器、大跨度支架、大组串」时代，光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，耐高压SiC功率元件将在组串式和集中式逆变器中大展身手。

对功率最多5kW的住宅用微型逆变器，GaN功率元件则更具优势，其不仅能显著改善整体转换效率，有效降低光电转换成本(LCOE)，还让用户能更简单建构体积更小、重量更轻、更可靠的逆变器。

SiC衬底被视为第三代半导体核心原材料，其晶体生长缓慢且制程技术复杂，大规模量产实属不易，导电型衬底可生产SiC功率电力电子元件，而半绝缘型衬底则可用于制作GaN微波射频元件。此外，由于衬底制备难度高，因此其价值量也相对最大，SiC衬底成本占元件总成本约50%，更显其在产业链的重要性。

目前全球SiC市场供给牢牢把控在衬底厂商手中，Wolfspeed、II-VI与SiCrystal(ROHM旗下)合计占据近90%出货量。

Infineon、STM、Onsemi等IDM大厂均在积极向上游SiC衬底发展，期待完全掌握供应链，以强化竞争力；与此同时，环球晶、Soitec、SK siltron等硅晶圆厂也纷纷加入，意欲分一杯羹，因此SiC衬底争夺战将越打越烈，但产业格局最终将走向何方，相信不用很多年便能看到结果。