近日，美国IC设计公司Marvell正式发布了基于台积电3纳米打造的资料中心芯片，而这也是业界首款3nm数据基础设施芯片。
据台积电此前介绍，相较于5nm制程，3nm制程的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。
台积电3纳米芯片可用于新产品设计，包括基础IP构建块，112G XSR SerDes（串行器/解串行器）、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 PHY/CXL 3.0 SerDes和240 Tbps并行芯片到芯片互连等。
照Marvell所说，SerDes和并行互连充当高速通道，用于chiplet芯片或矽组件间交换数据。与2.5D和3D封装一起，这些技术将消除系统级瓶颈，以推动最复杂的半导体设计。此外，因超大规模资料中心机架可能包含数以万计的SerDes链路，SerDes还有助减少引脚、走线和电路板空间，降低成本。
官方数据显示，新的并行芯片到芯片互连，可达成高达240Tbps聚合数据传输，比多芯片封装可用替代方案快45%。换言之，互连传输速率相当于每秒下载万部高清电影，尽管距离只有几毫米或更短。
Marvell将SerDes和互连技术整合至其旗舰硅解决方案中，包括Teralynx开关，PAM4和相干DSP，Alaska以太网物理层(PHY)设备、OCTEON处理器、Bravera储存控制器、Brightlane汽车以太网芯片组和定制化ASIC等。转向3纳米可降低芯片和计算系统的成本和功耗，同时保持讯号完整性和性能。
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