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8英寸SiC单晶材料:三安半导体引领xEV技术前沿

已有450次阅读2024-06-26标签:

 在全球新能源汽车行业的蓬勃发展中,电驱动系统及SIC功率半导体市场迎来了前所未有的发展机遇。2024年第四届全球xEV驱动系统技术暨产业大会于6月19-20日在上海嘉定成功举行,吸引众多整车厂、电驱动产业链专家代表,共同探讨电驱动先进技术与产业发展。

三安半导体作为SiC全链整合制造平台,在本次大会上展示了其在电力电子领域的最新研究成果。公司总经理助理高玉强博士受邀出席,在功率半导体创新技术论坛上发表题为“8英寸SiC单晶材料进展”的技术报告,深入分析了SiC电力电子产业链的现状,8英寸SiC单晶材料的技术趋势与挑战,以及行业发展情况和展望。
 

 
 

报告特别指出,8英寸SiC单晶材料的突破性进展不仅提升了生产效率,而且通过规模化生产显著降低了成本,为SiC器件在新能源汽车的大规模应用铺平了道路。此外,350微米厚度的8英寸衬底、外延和器件量产是突破8英寸成本壁垒,从6英寸跨越到8英寸的关键。
 

三安的积极参与不仅彰显了公司在SiC单晶材料领域的技术实力,也体现了其在推动新能源汽车产业发展中的重要作用。通过与全球同行的深入交流,共同推动电驱动系统技术的创新和应用,为新能源汽车产业的可持续发展贡献力量。
 

为满足新能源汽车低碳化、电气化的需求,三安深耕电力电子领域,保持供应链稳定,以卓越的产品质量,优质的服务,强大的交付实力引领功率半导体行业高速发展,助力新能源汽车产业迈向更加绿色、高效的未来。

 

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