EiceDRIVER™650V+/-4A 高压侧栅极驱动器1ED21x7系列
英飞凌的新一代EiceDRIVER™1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比，提供了一种更稳健、更具性价比的解决方案。1ED21x7x是高电压、大电流和高速栅极驱动器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT开关，设计采用英飞凌的绝缘体上硅（SOI）技术。
1ED21x7x具有出色的坚固性和抗噪能力，能够在负瞬态电压高达-100V时保持工作逻辑稳定。可用于高压侧或低压侧功率管驱动。
1ED21x7x系列非常适合驱动多个开关并联应用，例如轻型电动汽车。基于1ED21x7x大电流栅极驱动器的设计，可在一个三相系统中节省多个NPN/PNP管和外部自举二极管。
在其他应用，如图腾柱PFC，电感器过流保护是个设计难点，1ED21x7x提供简单、易于设计的电感器过流保护。
产品型号：
■ 1ED2127S65F
■ 1ED21271S65F
■ 1ED2147S65F
■ 1ED21471S65F
产品特点
英飞凌SOI技术
最大耐压电压+650V
输出源/灌电流+4A/-4A
最大供电电压为25V
集成超快、低RDS(ON)自举二极管
负VS瞬态抗扰度为100V
过流和欠压检测
多功能RCIN/故障/启用(RFE)，故障清除时间可编程
传播延迟小于100ns
DSO-8封装
符合标准RoHS
应用价值：无闩锁、负VS瞬态抗扰度为100V、高压尖峰抗扰度、强大的输出功率水平、功能集成在单一器件中、电压和电流监控
竞争优势：系统可靠性高、易于设计的产品、降低系统成本、系统故障保护
应用领域：叉车、LEV、电池分断器、高功率应用、电机驱动器
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