6月10日，#罗姆 宣布推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。
图片来源：罗姆
用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载
罗姆介绍，功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。
新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此，能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。
未来，罗姆将继续通过提升仿真技术，助力实现更高性能以及更高效率的应用设计，为电力转换技术的革新贡献力量。
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