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我国碳化硅激光剥离技术实现重大突破,单片切割损耗降至75微米以下

已有97次阅读2025-07-10标签:
 
近日,国家第三代半导体技术创新中心深圳平台(
#深圳平湖实验室)宣布在碳化硅衬底加工领域取得里程碑式进展。该团队自主研发的全自动化激光剥离系统,成功将碳化硅衬底单片切割损耗从传统工艺的280-300微米降至75微米以下,单片成本降低26%,技术水平达到国际先进。

#第三代半导体 材料产业化进程中,碳化硅(SiC)衬底加工技术长期受制于高损耗、低效率的瓶颈。深圳平湖实验室聚焦SiC激光剥离新技术的研究与开发,旨在大幅降低碳化硅衬底的切割损耗,从而降低碳化硅衬底的成本,促进大尺寸SiC衬底规模化产业应用。

2024年12月,深圳平湖实验室新技术研究部实现了激光剥离单片总损耗≤120μm,单片切割时间30min,达到国内领先水平。


图片来源:深圳平湖实验室


通过进一步进行激光剥离的机理研究和优化激光剥离的工艺参数,2025年6月实现激光剥离的单片总损耗≤75μm,单片切割时间20min,单片成本降低约26%,单台设备切割时间从60分钟/片缩短至20分钟/片,结合智能化产线,产能提升3倍,为规模化生产奠定基础。并且已完成三批次的小批量验证,良率100%。

随着新能源汽车、光伏等领域对碳化硅需求激增,国产激光剥离技术的成熟将为产业链自主化注入强劲动力。


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