三菱电机最新开发了全SiC、混合SiC的SLIMDIP产品，与超小型全SiC DIPIPM相比，全SiC、混合SiC的SLIMDIP体积更小，其电源也不再需要18V电源，可以在现有Si SLIMDIP封装的PCB方案上直接替换，两个型号产品的规格见下表1。
图1为全SiC SLIMDIP的内部电路，内置了新开发的SiC MOSFET芯片，其输出功率较现有硅基RC-IGBT SLIMDIP模块显著提高，全SiC SLIMDIP模块将功率损耗降低了79%(1)，显著提升家电能效。当应用于空调压缩机逆变器电路时，更可实现年功率损耗降低80%(2)。
图2为混合SiC SLIMDIP的内部电路，将SiC MOSFET和RC-IGBT集成到模块中。采用同一IC来驱动并联的SiC MOSFET和Si RC-IGBT，但是两者的驱动时序有所差异。与目前的硅基模块相比，混合SiC SLIMDIP能够将功耗降低47%(1)。当应用于空调压缩机逆变器电路时，更可实现年功率损耗降低41%(2)。
在上一篇《SiC DIPIPM在变频家电中的应用（1）》，我们介绍了超小型全SiC DIPIPM，其与全SiC SLIMDIP的对比见表2。
两者的损耗对比（单个芯片）如下图3所示，全SiC SLIMDIP的损耗相对更低一点。对比工况为：Vcc=310VDC，Io=7.5Apeak，fc=20kHz，SPWM调制，M=1，fo=50Hz，Vd=15V（PSF15SG1G6），Vd=18V（PSF15S92F6-A6）。
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