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第27讲:三菱电机SiC MOSFET在电动汽车中的应用(2)

已有59次阅读2025-10-28标签:
 

1.1 产品阵容

三菱电机已推出三款SiC模块产品,半桥T-PM模块:CTF350DJ3A130,三相全桥模块HEXA-S:CTF350CJ3C130,三相全桥模块HEXA-L:CTF700CJ3D130。后续还会继续推出其它规格的产品,扩充产品阵容,如表1中的灰色带*部分,满足客户的不同需求。客户可以直接购买T-PM,以T-PM为基础,定制开发自己的功率模块。

1.2 输出电流能力

J3系列SiC模块以半桥T-PM模块为核心,通过不同组合构成全桥模块HEXA-S和HEXA-L,可以实现从50kW到300kW电驱功率的全覆盖,满足客户端的平台化设计。HEXA-S可以应用在50kW到150kW的主驱逆变器或者增程器,HEXA-L可以覆盖150kW到300kW的主驱逆变器。典型输出电流示例可以参考图1,在800V母线电压,10kHz开关频率,65℃水温,10L/min的流速条件下可以输出最大540Arms的电流。并且三菱电机SiC模块的漏源间耐压(VDS)在全温度范围内(-40℃到175℃)1300V,可以覆盖更宽的电池电压。

三菱电机还为用户提供HEXA-L和HEXA-S的评估套件,包括母线电容、水冷套件和对应的驱动板,可以用作双脉冲测试和台架带载测试,方便客户对J3系列SiC模块的快速评价。如有兴趣,可以联
系我们。

      除了SiC功率模块,三菱电机还提供用于电动汽车(EV)、插电式混合动力汽车(PHEV)和其他电动汽车(xEV)电驱逆变器的SiC MOSFET裸片,晶圆和裸片的示意图如下图2所示。

     三菱电机用于xEV的SiC MOSFET裸片,采用沟槽栅结构,得益于特有的制造工艺,在沟槽栅结构中生长出高品质的栅极氧化膜,可以抑制长期使用过程中的阈值电压(VGS,th)漂移和性能劣化。


目前,三菱电机可以提供以下SiC-MOSFET裸片样品(表2),供客户测试评估。

未来,三菱电机将继续致力于开发和提供高品质、低损耗的SiC-MOSFET裸片,助力提升逆变器性能、延长续航里程和提高xEV的能源效率,为实现脱碳目标做贡献。


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