【新品】三菱电机发布两款新XB系列HVIGBT模块-产品新闻-新闻-中自数字移动传媒

4.5kV/1200A XB 系列HVIGBT模块

（左侧：标准绝缘封装；右侧：高绝缘封装）

三菱电机集团今日（2025年12月2日）宣布，将于12月9日发布两款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模块，包括标准绝缘（6.0kVrms）封装和高绝缘（10.0kVrms）封装。这些大容量功率模块专为轨道交通车辆等大型工业设备设计，具有良好的抗湿性，有助于提高在多样化环境中运行的大型工业设备变流器的效率和可靠性。三菱电机计划将在2026年1月21日至23日在东京举办的第40届日本国际电子科技博览会，以及在北美、欧洲、中国、印度等其它地区举办的展会对模块进行展出。

能实现高效电能转换的功率半导体正日益广泛应用于脱碳领域。用于大型工业设备的功率半导体模块主要应用于电力相关系统的电能转换装置，包括轨道交通牵引系统、电源设备和直流输电等领域。对于像户外这种温度和湿度波动范围较大的严酷环境，功率模块必须具有良好的抗湿性以保证稳定工作。功率半导体芯片可分为实现电能转换与输出的有源区（active region）和稳定电压的终端区（termination region）。在高湿度环境下，需要更宽的终端区结构来防止因潮湿导致的耐电压性能劣化。然而，这带来了一个技术矛盾：扩大终端区会导致有源区变窄，使得功率半导体芯片难以同时实现高功率、低损耗性能与抗湿性能的平衡。

新的模块采用了三菱电机专有的RFC（Relaxed Field of Cathode）二极管和载流子存储式沟槽栅双极型晶体管(CSTBT¹)。与目前模块相比，通过在芯片终端区域采用新型电场弛豫结构²和表面电荷控制技术³将芯片的终端面积减小约30%，同时抗湿性提升了20倍⁴。此外，与之前产品相比，新模块的总的开关损耗降低约5%⁵，二极管的反向恢复安全工作区（RRSOA）提高了2.5倍⁶。

改进了抗湿性，使变流器的工作更加稳定

芯片终端区域采用的电场弛豫结构和表面电荷控制技术减小了芯片终端区域的面积，抗湿性的显著改进确保变流器在高湿度的环境中能稳定工作。

内置性能更优的功率芯片，有助于构建更高效和可靠的变流器

专有的RFC二极管以及CSTBT结构的IGBT降低了总的开关损耗使变流器更高效。
专有的RFC二极管扩展了二极管的反向恢复安全工作区，防止了开关过程中反向恢复电流⁷和反向恢复电压⁸对二极管造成的损坏，从而提高了变流器的可靠性。

采用与现有产品兼容的封装，简化变流器设计

新模块保持与现有产品⁹相同的尺寸，便于直接替换，简化和缩短新变流器的设计过程。

XB系列产品线

网站

有关功率器件的更多信息，请访问www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/powerdevices/

1 Proprietary IGBT structure utilizing the carrier storage effect. 采用载流子存储效应的专有IGBT结构。

2 Proprietary structure with optimally arranged p-type semiconductor regions that gradually widen the spacing. 采用具有优化布局的p型半导体区域且间距逐渐扩大的专有结构。

3 Proprietary structure where the semi-insulating film is in direct contact with the semiconductor region, ensuring stable charge dissipation. 采用半绝缘膜与半导体区域直接接触的专有结构，确保电荷稳定耗散。

4 Results of the condensation resistance verification test for XB Series and existing H-Series products with a voltage rating of 3.3kV (Termination design is identical at 3.3kV and 4.5kV). 3.3kV等级XB系列与现有H系列产品的凝结阻力验证测试结果(3.3kV and 4.5kV产品终端设计一致)。

5 Comparison with legacy CM1200HC-90R in terms of E_on + E_off + E_rec at T_j=125°C, V_CC=2800V, and I_C=1200A.在T_j=125°C、V_CC=2800V、I_C=1200A条件下，现有型号CM1200HC-90R与新产品在E_on+E_off+E_rec指标上的对比。

6 Comparison with legacy CM1200HC-90R in terms of Prr, which is the product of V_CE.and I_rr in the RRSOA. 现有型号CM1200HC-90R与新产品在RRSOA区域内V_CE与I_rr乘积P_rr指标上的对比。

7 Temporary reverse current that occurs when switching a diode from forward to reverse direction. 二极管从正向切换至反向时产生的暂态反向电流。

8 Reverse voltage applied to a diode. 施加于二极管的反向电压。

9 Comparison with legacy H-Series 4.5kV/900A products and R-Series 4.5kV/1200A products. 与现有H系列4.5kV/900A产品及R系列4.5kV/1200A产品的对比。