沟槽栅型SiC MOSFET晶圆 | 沟槽栅型SiC MOSFET裸芯片布局
（样品渲染图）
三菱电机集团于2026年6月4日宣布，将于同年6月下旬起陆续开始提供两款新型第5代SiC MOSFET裸芯片样品。该芯片适用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）及其他电动化车辆（xEV）的电机驱动逆变器与eAxles¹（电驱动桥）。第5代SiC MOSFET芯片采用三菱电机独有的沟槽栅结构²，实现了业界先进水平³的低导通电阻⁴，相比现有产品降低约25%⁵。
该芯片将在德国纽伦堡举办的PCIM Expo & Conference 2026（2026年6月9-11日）以及日本、中国等相关展会上展出。
三菱电机第5代SiC MOSFET裸芯片将有助于提升xEV逆变器与eAxles1的性能，并实现产品小型化，从而延长xEV的续航里程、提高工作效率。此外，三菱电机独有的制造工艺技术可有效抑制芯片在长期运行中的性能下降。
全新沟槽栅结构降低SiC MOSFET导通电阻，有效提升xEV续航里程和工作效率
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三菱电机独有的扁平源极接触（FSC）结构6、新型沟槽栅结构以及传统斜角离子注入技术，在提高了元胞密度的同时促进电流流动，从而实现了业界先进水平3的低导通电阻。
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其导通电阻比三菱电机现有沟槽栅型SiC MOSFET 降低约25%5，有助于提升xEV逆变器的性能并实现其小型化，进而延长xEV的续航里程、提高工作效率。
全新沟槽栅型SiC MOSFET制造技术，长期维持xEV性能
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三菱电机独有的制造工艺技术可抑制因体二极管反向恢复导致的性能退化7，从而有助于稳定器件质量。
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全新沟槽栅型SiC MOSFET能够抑制开关过程中产生的功率损耗和导通电阻波动。这得益于三菱电机20多年来在平面栅型/沟槽栅型8SiC MOSFET以及SiC SBD9研发和制造方面积累的专有技术，包括独有的SiC工艺控制和独特的栅极氧化膜制造方法。
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稳定的器件质量将有助于xEV逆变器和eAxles1的耐久性，从而保证xEV的长期性能。
市场对能够高效转换电力、促进脱碳的功率半导体的需求日益增长。在汽车领域，为减少温室气体排放而推进的车辆电动化，使得用于电机驱动逆变器等功率变换设备中的功率半导体的需求不断扩大且趋于多样化。其中，能够显著降低功率损耗的SiC功率半导体备受期待。
三菱电机于1997年率先开始量产用于xEVs的功率半导体模块。此后，三菱电机在克服逆变器小型化相关挑战（包括提高热循环下的可靠性11）方面取得了一系列成功，其产品已被多家电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）制造商采用。此外，自2010年三菱电机推出显著降低功率损耗的SiC功率半导体模块以来，这些产品已被广泛应用于空调、工业设备和铁路车辆的逆变器系统，为降低家电、工业设备和铁路车辆的功耗做出了贡献。
未来，三菱电机计划扩大其用于xEV及其他节能电力电子设备的高质量、低损耗SiC MOSFET裸芯片的供应，以支持绿色转型。
1. 集成电机、逆变器和减速箱于一体的电动汽车驱动单元。
2. 一种通过在晶圆表面刻蚀出沟槽并填充栅电极形成的结构。
3. 三菱电机截至2026年5月29日的调查结果。
4. 导通电阻是指MOSFET等功率半导体在开关导通状态下，漏极与源极之间的电阻值。
5. 将新产品与现有第4代沟槽栅型SiC MOSFET在相同额定电压下进行导通电阻比较，并对阈值电压进行了调整。
6. 一种在沟槽内部嵌入绝缘膜的结构。
7. MOSFET在关断时，其体二极管自动作为旁路导通的现象。
8. 在晶圆表面形成栅电极的多种结构。
9. 利用半导体与金属接触界面产生肖特基势垒的二极管。
10. 《关于在电子电气设备中限制使用某些有害物质的指令》（RoHS指令）。
11. 因外部环境等变化导致整个产品反复经历升温和降温的循环过程。
