IGBT，英文全称Insulated Gate Bipolar Transistor，中文全名绝缘栅双极晶体管，是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,作为电力电子技术的核心技术，是电机控制和功率变换器的首选器件。
IGBT综合了BJT、MOSFET两种器件的优点，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低、工作频率高、安全工作区宽和导通电阻小、电流密度大等特性。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。总体来说，现代电力电子器件向大功率、易驱动和高频化的方向发展，所以，IGBT代表未来商业化电力电子器件的主流方向。
IGBT作为电机控制和功率半导体器件首选器件，在轨道交通、航空航天、船舶驱动、新能源电动汽车、风力发电、太阳能发电、高压变频、工业传动及电力传输等多个重要行业和领域广泛运用。目前，在轨道交通高速动车组、大功率电力机车、城轨车辆几乎普遍采用IGBT；在节能环保领域，IGBT成为节能设备最核心的部件；在电力传输领域，IGBT在柔性输电等技术中发挥越来越大的作用。同时，大功率IGBT也是谐波治理中最理想的开关器件。因此，IGBT具有良好的市场前景。在未来很长一段时间内，为适应全球降低CO2排放的战略需要，IGBT将更加广泛地应用于可再生能源发电、智能配电与控制、分布式发电、电力牵引等领域，成为节能技术和低碳经济的主要支撑。
目前，全球IGBT市场中最主要的供应厂商由国外少数大公司控制，它们代表国际IGBT技术最高水平。包括日本三菱、东芝，德国英飞凌、瑞士ABB等公司，其中3300V-6500V等级IGBT主要由英飞凌、ABB、三菱与东芝等少数几家所垄断，英飞凌在奥地利的有一条6英寸高压IGBT芯片生产线和大功率IGBT模块封装线，在马来西亚的有一条月产达到10万片8英寸芯片线，ABB拥有年产20万片6英寸IGBT芯片的生产线，年产25万只高压大功率IGBT模块封装线；日本三菱是位于亚洲的最重要竞争对手，该公司产品与英飞凌类似，在大功率沟槽IGBT技术方面在国际上处于领先水平。
我国IGBT的芯片设计、制造和模块封装技术还处于起步阶段。IGBT芯片技术研究主要采取“设计＋代工”模式（主要是低压芯片），即已有一定IGBT封装基础的公司提出芯片设计方案，利用国内饱和的IC生产线的工艺技术完成大部分芯片工艺代工流片，模块封装再由封装公司自行完成。这种模式虽然在突破空白技术初期有一定的积极意义，但在产业化阶段则存在较大的弊端。因此，在IGBT芯片方面，国内院校一直处于研究、跟踪阶段，虽研制出少量低压样品，但技术水平基本处于国外上世纪八十年代的水平。1700V以上的高压IGBT芯片基本依赖进口。在IGBT模块封装方面，国内现有数条1700V以下的低档IGBT模块封装线，但受制于芯片供应，很难与国外同行竞争，不能满足国内相关行业和领域的发展，在很大程度上制约了国内IGBT产业的健康发展。
目前，我国已成为全球最大的功率半导体器件消费市场。仅2009年功率半导体器件市场规模达到1215.3亿元，预计今后5年仍将有约8%的平均增长。根据历史数据，功率IGBT模块的市场销售总额约占整个功率半导体市场的10%左右，但整个IGBT市场大部分由国外厂商占据。其中IGBT芯片完全依赖进口，关键技术被国外大公司垄断，国内难以实现突破，成本难以降低。在轨道交通、电动汽车、工业传动等领域，目前主要被国外的ABB、英飞凌和三菱所占据，国内IGBT产品还处在起步阶段，1200V以下产品开始有小批量国内封装的产品入市，开始尝试在电动汽车和城轨车辆上批量应用，但在轨道交通用高压大电流IGBT模块基本被外国品牌垄断。国内缺少IGBT的产业化设计、生产、封装、测试和可靠性试验等一套完整的技术，离掌握大功率IGBT技术还有很长一段路。 IGBT 的主要供应国家是德国和日本,目前我国部分厂商开始研发并生产IGBT，未来IGBT 的国产化,将使得变频器的主要原料成本存在下降空间。
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