另外，在新能源领域，特别是光伏市场，由于欧美对中国太阳能电池板双反条令的实施，令以前以出口为主的市场，逐渐转回国内。在2011年，整个太阳能市场新装机容量仅仅是2GW，而去年就达到了5GW，乐观估计2013年可能达到9GW；同时风电市场在经历了行业LVRT（低电压穿越）功能的完善后，预计在2013年也将出现增长，新装机容量将达到17GW左右。相信三菱电机功率模块在新能源领域也将有所斩获。

    同时，由于中国市场需求的不断扩大，三菱电机早在几年前已经在中国开始建立工厂并制造功率模块，如变频家电用的DIPIPMTM产品以及部分IGBT产品。并且三菱电机也将继续扩大“中国制造”概念，不仅在中国生产制造，进而将在中国进行原材料的采购和优化，提升在整个业界的竞争力。

    不断改良功率模块技术

    三菱电机董事及技术总监Gourab Majumdar博士称，三菱电机主要从三个方面不断提升和改良功率模块的性能，包括：芯片技术、封装技术和新材料。

    三菱电机董事及技术总监Gourab Majumdar博士

    在芯片技术方面，三菱电机目前使用的是第6代IGBT芯片技术，仍然沿用的是硅材料。不断改进晶圆，提高电流密度，暨扩大芯片的有效区间从而发挥其最大效用，并在第七代产品上实现。

    在封装技术方面，目前主要采用的是盒式封装，通过改良，新一代的MPD系列产品，其电压可以达到1200V和1700V，电流达到了1800A和2500A，真正地成为了一个兆瓦级的功率模块。

    另外，三菱电机也在不断地改良其独有的压注模封装技术。目前最大规格已经提升至600V/75A和1200V/50A。另外所有新开发产品都内置了自举二极管，从而简化客户的设计。

    碳化硅为未来发展方向

    在材料技术方面则采用碳化硅（SiC）。它有四大优点：集成化更高、功耗更低、高频下的性能更佳以及更加耐热。以三菱电机的SiC-MOSFET来说，面积只有9×9mm，开通电阻为4mΩ/cm2。耐压达到1300V。

    除了全碳化硅器件，目前也在开发混合碳化硅器件。其中IGBT仍然使用硅材料而续流二极管采用了碳化硅材料。

    三菱电机机电（上海）有限公司副总经理谷口丰聪先生称：将来混合碳化硅模块将在需要回收能量的应用领域得到广泛应用，例如电梯和电力机车。

    在2010年，三菱电机已率先开发了空调用碳化硅产品，并且已经在高端空调产品中使用。同时在今年，采用碳化硅材料技术的HVIGBT模块也已在日本轨道交通的辅助电源设备上开始使用。

    谷口先生还称，目前三菱电机和中国国内的四大高校有联合实验室。三菱电机将无偿地提供碳化硅功率模块，并和大学进行联合应用开发，从而在中国普及碳化硅产品的应用。