日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布采用Punch Through（PT）和Field Stop（FS）技术的新Trench IGBT（绝缘栅双极型晶体管）平台。Vishay Semiconductors推出的这些器件可提高电机驱动、UPS、太阳能逆变器和焊接设备逆变器的效率，以裸片方式供货，集电极到发射极的电压较低，能够快速和软导通及关断，从而降低传导和开关损耗，650V的击穿电压提高了可靠性。
今天发布的IGBT芯片提供多种裸片尺寸，额定集电极电流从30A到240A，击穿电压为600V～650V，包括Trench PT和FS器件，每种器件都提供已切割或未切割的裸片。
Trench PT器件具有极低的传导损耗，负温度系数使器件在50%额定电流下集电极到发射极电压低至1.07V，在满额定电流和+125℃下为1.34V。通过采用Trench结构，IGBT的尺寸比平面工艺的器件小，具有更高的电力密度和更低的热阻，而不会损失性能和可靠性。Trench PT IGBT适合频率小于1kHz的低开关频率。
在满电流和25℃下，Vishay的Trench FS器件的集电极到发射极饱和电压只有1.45V，可减少传导损耗。器件同时具有快速和软开关特性，既减小功耗，又降低导通和关断损耗。另外，器件的软关断能够降低峰值电压，扩大功率等级，简化电路布局。FS IGBT的工作温度达+175℃，能实现更健壮的设计，在高温（150℃）下的短路额定时间只有6μs，使器件在极重负载和失效情况下也能安全和可靠地工作。器件的饱和电压具有较低的正温度系数，可简化并联设计。
器件规格表：
产品编号VCE （V）IC （A）VCE（ON） / VCEsat （V）技术裸片尺寸 （mm）裸片类型
VS-GC200A060LC6002001.34Trench PT12.6 x 10.3已切割
VS-GC200A060LB6002001.34Trench PT12.6 x 10.3未切割
VS-GC030C060TC600301.45Trench FS3.5 x 4.3已切割
VS-GC030C060TB600301.45Trench FS3.5 x 4.3未切割
VS-GC030C065TC650301.50Trench FS3.5 x 4.3已切割
VS-GC030C065TB650301.50Trench FS3.5 x 4.3未切割
VS-GC200C060TC6002001.45Trench FS10.3 x 9.8已切割
VS-GC200C060TB6002001.45Trench FS10.3 x 9.8未切割
VS-GC200C065TC6502001.50Trench FS10.3 x 9.8已切割
VS-GC200C065TB6502001.50Trench FS10.3 x 9.8未切割
VS-GC240C060TC6002401.45Trench FS12.6 x 10.3已切割
VS-GC240C060TB6002401.45Trench FS12.6 x 10.3未切割
VS-GC240C065TC6502401.50Trench FS12.6 x 10.3已切割
VS-GC240C065TB6502401.50Trench FS12.6 x 10.3未切割
这些器件适合用在电源模块里，搭配Vishay的新型FRED Pt? Gen 4超快软恢复二极管一起使用，可以实现非常低的EMI，最高工作温度达+175℃，在单相和三相逆变器、功率因数校正（PFC）电路，以及全桥及半桥DC/DC转换器里可以即插即用，十分可靠。
理想组合 - Trench IGBT加FRED Pt? Gen4二极管
IGBT产品编号FRED Pt? Gen4产品编号速度BVCES（V）Ic（A）典型VF（V）裸片尺寸（mm）应用
VS-GC030C060TBVS-4FD156U06A6BCU600301.43.96 x 2.59电机驱动
VS-4FD156H06A6BCH600301.653.96 x 2.59UPS
VS-GC200C060TBVS-4FD378U06A6BCU6002001.459.6 x 6.04电机驱动
VS-4FD378H06A6BCH6002001.69.6 x 6.04UPS
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