第六代650 V CoolSiC肖特基二极管采用全新布局以及全新专有肖特基金属系统，内部结构也与上代产品完全不同。其结果就是树立行业标杆V F（1.25 V），以及比上一代产品低17%的Q c x V F 优质系数（FOM）。此外，新推出的第六代全新二极管充分发挥碳化硅的强大特性——独立于温度的开关性能和没有反向恢复电荷。
该器件的设计有助于在所有负载条件下提高效率，同时提高系统功率密度。因此， 第六代650 V CoolSiC肖特基二极管具备降低散热要求、提高系统可靠性和极快开关速度等诸多优势。新款器件是具备最佳性价比的新一代碳化硅二极管产品。
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