早在2013年，三菱电机供轨道交通车辆使用、搭载3.3kV的全SiC功率模块便已实现了商业化。其后，三菱电机坚持致力于推广更节能的SiC功率模块以逐步取代传统的Si功率模块。

1月31日，三菱电机株式会社宣布已成功开发出6.5kV耐压等级全SiC功率模块，该模块采用单芯片构造和新封装，在1.7kV到6.5kV同类功率模块中实现了世界最高等级的功率密度（按功率半导体的额定电压和电流计算）。三菱电机期待通过使用本模块，帮助对有高电压需求的轨道交通、电力系统实现电力电子设备的小型化和节能化。

6.5kV全SiC功率模块样品

产品特点

1、6.5kV全SiC功率模块，有助于实现电力电子设备的小型化、节能化

实现了与Si IGBT功率模块一样的最高电压6.5kV；

全SiC技术提升了功率密度和效率，并且可以通过提高器件开关频率，有助于实现高压变流器的小型化和节能化。

2、单芯片构造和高散热、高耐热的新型封装，实现了高压功率模块世界最高功率密度

在一个功率芯片上集成SiC-MOSFET和二极管，大幅减小芯片面积；

采用高导热性和高耐热性的绝缘衬底以及高可靠性的芯片焊接技术，实现了高散热和高耐热性能的小型封装；

在额定电压为1.7kV到6.5kV的功率模块中，实现了世界最高功率密度（9.3kVA/cm3）。

产品封装

新型全SiC功率模块采用业界标准封装（三菱电机HV100），与本公司的HV100系列Si IGBT模块也兼容。

新老产品比较

采用专利

本次开发是受日本研究开发法人新能源•产业技术综合开发机构（NEDO）的推动而实施的。专利数统计：日本国内专利9件，国际专利3件。

开发主持单位：

三菱电机株式会社  尖端技术综合研究所

开发参与单位：

DOWA エレクトロニクス株式会社、

三菱マテリアル株式会社、

デンカ株式会社、

日本ファインセラミックス株式会社、

国立大学法人東京工業大学、

学校法人芝浦工業大学、

国立大学法人九州工業大学、

国立研究開発法人産業技術総合研究所