8英寸硅基氮化镓芯片苏州一期项目，预计投资80亿元。英诺赛科一期项目于2020年9月举行设备搬入仪式，进入量产准备阶段。同年11月通线试产，短短几个月时间，项目进展快速，于近日宣布开启大规模量产。

项目预计2021年实现产能可达6000片/月，全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆，预计年产值150亿元，利税超15亿元。

建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

与量产仪式一起举行的还有“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”签约仪式，以及研发楼奠基仪式。.

会上，英诺赛科总经理孙在亨指出，半导体硅材料在经过70多年的开发后，已经接近其材料极限，而氮化镓则具备未来产业发展所需的特性。在过去两年中，基于氮化镓的市场应用取得了很多突破，开始在消费电子、工业、汽车等市场全方位地渗透，尤其在快充、激光雷达、手机、5G、新能源汽车、无线充电和数据中心等领域发挥出巨大的潜能。“我毫不怀疑基于氮化镓的应用将是半导体未来十年增长最快的领域。”孙在亨强调，“随着英诺赛科苏州工厂的成功量产，我们已经做好了全面准备去迎接氮化镓时代的到来。”

英诺赛科成立于2017年，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高科技企业，采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，产品涵盖30-900V功率半导体器件、IC及射频RF器件，是全球唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的公司。

英诺赛科被国家四部委(发改委、工信部、财政部、海关总署)列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。