11月7日，露笑科技发布公告称，合肥露笑半导体一期已完成主要设备的安装调试，进入正式投产阶段。后续公司会根据市场订单情况及一期投产情况完成产能的进一步扩张。
项目总投资100亿元，占地面积88亩，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。
项目分三期建设，一期预计投资21亿元，建成达产后，可形成年产24万片导电型碳化硅衬底片和5万片外延片的生产能力；二期预计投资39亿元，建成达产后，将形成年产10万片6英寸外延片和年产10万片8英寸衬底片生产能力；三期预计投资40亿元，达产后将形成年产10万片8英寸外延片和年产15万片8英寸衬底片生产能力。
据悉，露笑科技现已全面掌握了 6 英寸导电型碳化硅晶体生长工艺参数之间的耦合关系，确定了各工艺参数的优值，具备了可重复、可批量生长碳化硅晶体的设备及技术条件，目前设备 100%国产化。
露笑科技专注的第三代半导体碳化硅，拥有更高的禁带宽度、电导率、热导率等优良特性，适合应用在高功率和高频高速领域，如新能源汽车和5G射频器件，目前已经开始出现群雄逐鹿之势。
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