天岳先进成立于2010年，是一家国内领先的宽禁带半导体(第三代半导体)衬底材料制造商，主营业务是碳化硅衬底材料的研发、生产和销售。目前，公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底，可应用于微波电子、电力电子等领域。经过十余年的技术发展，公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术，自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术。
截至2021年6月末，公司拥有授权专利332项，其中境内发明专利86项，境外发明专利3项。通过数千次的研发及工程化试验，公司核心技术不断创新，所制产品已达到国内领先、国际先进水平。公司已同时具备半绝缘型碳化硅衬底材料和导电型碳化硅衬底材料的研发技术产业化能力。根据Yole统计，2019年及2020年，公司已跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三。
天岳先进营收与碳化硅衬底产销情况
天岳先进是我国第三代半导体材料碳化硅的龙头企业，目前能够供应2英寸-6英寸的单晶衬底。在半绝缘型SiC衬底领域，天岳先进产品电阻率已实现108Ω·cm以上，电学性能达到较高水平，已批量且稳定地供应给通信行业领先企业，用于其新一代信息通信射频器件的制造。
据悉，天岳先进在上海临港新片区建设碳化硅衬底生产基地，满足不断扩大的碳化硅半导体衬底材料的需求。该项目建设期为6年，自2020年10月开始前期准备，计划于2022年试生产，预计2026年100%达产。公司的“碳化硅半导体材料项目”已被上海市发改委列入《2021年上海市重大建设项目清单》。为实现产能扩张，正在募资建立25亿元项目。
当前国际上正从6英寸向8英寸迈进，而国内企业逐步掌握碳化硅衬底的制备技术，在导电型衬底已经实现4英寸衬底商业化，逐步向6英寸发展，叠加缺芯影响，国内也同样出现碳化硅衬底产能供不应求的状况。
“双碳”政策下，第三代半导体材料的需求增加。其中新能源汽车持续发展，特别是800V高电压平台的热门搭载，碳化硅衬底资源将成为功率器件的重要所需。
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