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昭和电工8英寸SiC外延项目最新消息!

已有16904次阅读2022-05-26标签:SiC晶圆 功率器件
 23日,日本晶圆龙头昭和电工(Showa Denko K.K.,简称“SDK”)宣布,“用于下一代绿色能源半导体的SiC晶圆技术”项目入选日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)“下一代数字基建”的研发目标之一,该基建项目归属于日本绿色创新基金项目。

 

据悉,2020年10月,日本政府宣布2050实现碳中和的目标。日本经济贸易发展省(METI)决定成立一个2万亿日元的绿色创新基金,绿色创新基金将作为NEDO的一部分,并以显著加快推动能源产业部的结构性变化为目标,同时加大对相关创新的投入。

 

昭和电工专注于开发面向功率半导体市场的SiC外延片,市占率全球第一。并且,该公司的SiC业务已经从外延向衬底成功延展,目的是改善SiC外延片的品质、扩大业务规模、提升综合竞争力。据今年3月消息显示,昭和电工已成功量产6英寸SiC单晶衬底,将用于生产SiC外延片。

 

与此同时,昭和电工也与上游SiC衬底厂商保持紧密合作的关系,通过多元化上游材料的来源,为其SiC外延片建设一条稳定的供应链,同时保障了上游产能供应和产品品质的问题。

 

技术方面,昭和电工也正在积极开发8英寸SiC产品并相应扩充产能。在本次项目中,昭和电工计划采用其知识产权产品组合及产品发展专业知识,开发8英寸SiC外延片,目标是缺陷密度下降至少一个数量级,从而降低下一代功率半导体的生产成本。

 

在9年的项目实施期间,即从2022年到2030年,昭和电工计划联合日本产业技术综合研究院(AIST)开发能够加速SiC块状单晶生长速度的技术。

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