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未来还将投资3亿美元!安森美持续扩建捷克SiC工厂

已有158次阅读2022-09-23标签:
 7月份,安森美宣布投资10亿美元(约67亿人民币),在京畿道富川市建立一个新的研究中心和晶圆制造厂,产出的碳化硅功率芯片将部署在电动汽车中,预计在2025年投产。

8月11日,安森美位于新罕布什尔州哈德逊的碳化硅工厂正式落成。该基地将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加5倍,在哈德逊的员工人数几乎翻两番。

连续扩建2个碳化硅工厂,可见安森美对碳化硅的雄心壮志。但安森美并不满足于此,其对捷克工厂的投资步伐,仍在持续。

捷克共和国碳化硅工厂落成,产能提高16倍

安森美从2019年开始便将SiC抛光晶圆和SiC外延晶圆生产添加到其在捷克共和国现有的硅抛光和外延晶圆和Die制造中,并在去年开始重建新厂房,以进一步扩大晶圆和SiC外延片制造。昨(21)日,安森美在捷克共和国扩建的碳化硅工厂正式落成了。


图片来源:安森美

随着扩建工厂的正式落成,在未来两年内,该基地的SiC生产能力将提高16倍,并在2024年底之前创造200个工作岗位。

投资金额方面,安森美先后两次对捷克工厂进行投资,总金额已超过1.5亿美元。其还计划在未来继续追加投资3亿美元。

产能的扩充,让安森美对未来的业绩充满乐观。此前,安森美曾预测,2022年其碳化硅业务的营收将翻一番,但在二季度财报会议上,安森美提高了这一预测。

据悉,2022年第二季度,安森美实现营业收入20.85亿美元,同比增长25%。安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury介绍,2022年第二季度,安森美碳化硅业务的营收相比2022年第一季度增长了一倍。同时,其还表示,“得益于全球团队产能扩张计划的加速以及最新的客户参与,我们有信心提高年度预测。2022年,我们碳化硅的收入将是去年的3倍,到2023年,碳化硅收入将超过10亿美元。”

汽车业务增长强劲,SiC快速发展

安森美对未来的乐观预期,离不开车用SiC市场的火热。据悉,2022年第二季度,安森美来自汽车领域的营收同比增长了41%。

事实上,新能源汽车是SiC功率器件的主要应用场景。当下,全球新能源汽车快速发展,带动了车用SiC的市场需求的不断攀升。TrendForce指出,随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC(碳化硅)技术,预计2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元(约71.9亿元人民币),至2026年将攀升至39.4亿美元(约264.77亿元人民币)。

而除了安森美外,各大厂商对SiC的投资也在加速。

国际方面,Wolfspeed日前宣布将投入约13亿美元(约90亿人民币),在北卡罗来纳州新建碳化硅衬底工厂。新工厂计划建于查塔姆县(Chatham County),临近Wolfspeed已建成的达勒姆(Durham)碳化硅衬底工厂。新工厂主要生产8吋碳化硅衬底,并将提升Wolfspeed现有碳化硅产能超10倍。

日立功率半导体公司则计划投资超1000亿日元,用于电动汽车和电器等产品的功率半导体,预计产能将提高至3倍。日立能源还在今年3月与恩智浦宣布合作开发电源模块,加快碳化硅在电动交通领域的应用。

英飞凌位于马来西亚的碳化硅和氮化镓工厂在今年7月正式奠基。项目总投资约144亿元,将于2024年下半年开始出货。目前,英飞凌已与Wolfspeed、GTAT、昭和电工、II-VI等签署了碳化硅材料方面的合作协议。

II-VI于2021年在位于中国福州的II-VI亚洲区域总部新建了超过50000平方英尺的洁净室空间,建立了一条SiC衬底后端加工线;

今年3月,II-VI又对宾夕法尼亚州的工厂进行大规模的扩建,总投资额近64亿元。通过这次扩建,未来五年内,II-VI SiC衬底产量将增加至少6倍,计划到2027年将达到年产100万片6英寸衬底的产能。该工厂还将成为II-VI的8英寸SiC外延片制造中心。

国内方面,东尼电子旗下全资子公司东尼半导体拟通过增资扩股的方式,引入投资者湖州织鼎信息技术服务有限公司。增资金额为2.8亿元,资金主要用于年产12万片的SiC衬底项目。

青禾晶元近日完成近2亿元A++轮融资,资金将主要用于新建产线扩大生产。而在今年6月,青禾晶元还与天津签约,公司拟投资9.9亿元,在天津高新区建设国内首条复合SiC衬底生产线。

9月16日,合肥新站高新区与绿能芯创举行6英寸碳化硅半导体芯片生产线建设项目签约仪式。项目总投资约35亿元,建筑面积9万平方米,产品主要为碳化硅电力电子芯片及器件。

科友第三代半导体产学研聚集区项目一期于8月18日正式投用,预计年底全部达产后可形成年产能10万片6英寸SiC衬底的生产能力。

瞻芯电子6英寸SiC芯片车规级工厂于今年7月正式投片。该工厂一期设计产能为30万片6英寸碳化硅晶圆。

士兰微于7月29日宣布子公司士兰明镓已启动化合物半导体第二期建设。据悉,士兰明镓将建设一条6英寸SiC功率器件芯片生产线,项目总投资为15亿元,建设周期3年,最终形成年产14.4万片6英寸SiC功率器件芯片的产能,主要产品为SiC MOSFET、SiC SBD。

时代电气在今年4月宣布拟投入4.62亿升级碳化硅产线。项目建成达产后,将把该公司现有的平面栅碳化硅MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅碳化硅MOSFET芯片研发能力、现有4英寸碳化硅芯片线将提升到6英寸碳化硅芯片线、产能也将从1万片/年的能力提升到2.5万片/年。

市场需求与SiC现有产能之间的矛盾,是企业频繁投资SiC的重要推动力。未来,随着碳化硅在产能规模、技术水平上的双提升,碳化硅将迎来高速发展的黄金期,加速“上车”,并在光伏等更多的应用领域发挥作用。
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